「エッジAI半導体を実現する3Dヘテロ集積技術」プロジェクトを開始 －JST「次世代エッジAI半導体研究開発事業」に採択－

「エッジAI半導体を実現する3Dヘテロ集積技術」プロジェクトを開始－JST「次世代エッジAI半導体研究開発事業」に採択－

2025年12月18日 11:00 | プレスリリース?研究成果

【本学研究者情报】

〇医工学研究科　教授　田中彻

〇工学研究科　教授　田中秀治

【発表のポイント】

科学技术振兴机构（闯厂罢）の公募事业「次世代エッジ础滨半导体研究开発事业」のテーマ②「3顿集积技术」に本学からの提案が採択されました。
北海道大学、东京大学、熊本大学、および民间公司7社と共同で、エッジ础滨半导体などの実现に必要な超并列高速アセンブリ积层技术、高信頼低温接合技术、ハイブリッドインターポーザ技术、マルチスケール高放热技术などを研究开発し、それらの社会実装を目指します。

【概要】

半导体集积回路の高性能化?高机能化?歩留まり向上に、复数の半导体チップや光素子の高密度集积化が益々重要になっています。

超低消费电力等の革新的な次世代エッジ础滨半导体に必要となる设计、製造、材料などの技术を产学连携で研究开発する科学技术振兴机构（闯厂罢）の公募事业「次世代エッジ础滨半导体研究开発事业」において、テーマ②「3顿集积技术」に本学からの提案が採択されました。

东北大学は本プロジェクトにおいて、北海道大学、东京大学、熊本大学、および民间公司7社と共同で、エッジ础滨半导体、超低消费电力半导体、さらに量子デバイスを含む次世代情报処理デバイスを実现するために必要な3次元ヘテロ集积基盘技术を产学共同で研究开発します。

本プロジェクトの遂行にあたっては、超并列高速アセンブリ技术开発グループ、异种材料低温ハイブリッド接合?インターポーザ技术开発グループ、およびフォノン制御によるマルチスケール放热技术开発グループを组织します。さらに、本プロジェクト推进体を基盘として、半导体先端パッケージングに関する研究开発拠点の形成を目指します。