レゾナックと东北大、廃弃シリコンと颁翱?から厂颈颁パワー半导体材料を作る技术を共同研究

2025年7月 8日 11:00 | プレスリリース?研究成果

【本学研究者情报】

〇大学院工学研究科応用化学専攻
助教　福島潤

【発表のポイント】

レゾナックと东北大学は、シリコンスラッジとCO₂からSiCを作る技术をSiCパワー半导体材料の结晶成长に応用するための本格検讨を开始
本技术は、「鉱物化」という、CO₂を固体と反応させるカーボンリサイクル技术により、シリコンスラッジとCO₂を再资源化し、有価なSiC原料を创出する技术へ応用するもの
本技术が実用化すれば、SiCパワー半导体は製品として省エネルギー化に贡献するだけでなく、製造工程においてもCO₂排出量削减、シリコンスラッジおよびCO₂の再资源化が同时に実现し、ライフサイクル全体で环境负荷を低减することが可能になる

【概要】

株式会社レゾナック（社长 CEO：髙桥秀仁、以下、レゾナック）と国立大学法人东北大学大学院工学研究科（研究科长：伊藤彰则、以下、东北大学）は、シリコンウェハーの製造过程で発生する廃弃物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO₂）を原料とした炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半导体に用いるSiC単结晶材料の成长用原料として応用するための基础検讨を2024年より行ってきました。本技术が実用化すれば、SiCパワー半导体は、製品として省エネルギー化に贡献するだけでなく、製造工程においても、CO₂排出削减、シリコンスラッジおよびCO₂の再资源化が実现し、ライフサイクル全体で环境负荷を低减することが可能になります。

レゾナックと东北大学は、基础検讨段阶が完了したため、このたび応用に向けた本格検讨を开始しました。