2025年 | プレスリリース?研究成果
世界初、CMOS/スピントロニクス融合技術を活用した エッジAI向け実証チップの開発に成功しました ―従来比50倍以上のエネルギー効率改善を実証システムで確認―
【本学研究者情报】
〇电気通信研究所 教授 羽生贵弘
〇国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授 远藤哲郎
教授 池田正二
【概要】
NEDOは「省エネAI半导体及びシステムに関する技术开発事业」(以下、本事业)において、エッジ领域に适した高性能かつ省エネルギーな人工知能(AI)半导体デバイスの早期実现を目指して、开発を进めてきました。このたび、国立大学法人东北大学と株式会社アイシンは、磁気抵抗メモリ(MRAM)を大容量搭载したエッジ领域向け「CMOS/スピントロニクス融合AI半导体」を开発しました。OSやアプリの起动用途とメインメモリ用途を兼ねた内蔵メモリとしてCMOS/スピントロニクス融合技术を活用した、エッジAI向けアプリケーションプロセッサ搭载チップの开発は世界初となります。
図1 本事业が目指す多様な社会実装
问い合わせ先
(研究に関すること)
东北大学电気通信研究所
教授 羽生貴弘
TEL: 022-217-5679
Email:takahiro.hanyu.c4*tohoku.ac.jp
(*を蔼に置き换えてください)
(报道に関すること)
东北大学电気通信研究所総務係
TEL: 022-217-5420
Email:riec-somu*grp.tohoku.ac.jp
(*を蔼に置き换えてください)

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东北大学は持続可能な开発目标(厂顿骋蝉)を支援しています