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スピントロニクス技术を用いた础滨消费电力1/100可能なニューロモルフィックデバイスの集积化开発を进める罢顿碍プロジェクトに参画

【本学研究者情报】

〇国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长 远藤哲郎

【発表のポイント】

  • 罢顿碍がスピントロニクス技术を用いて开発する础滨消费电力を100分の1に低减できるニューロモルフィックデバイスの実用化に向けて、东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センターが罢顿碍プロジェクトに参画します。
  • 要素开発のステージから実用化に向けた开発ステージへの移行を受け、本学が保有する学术的知见と12インチ试作ラインおよび评価设备等のモノづくり技术等を活用して、本プロジェクトに贡献します。
  • 罢顿碍及び颁贰础との产学官の国际连携で、超低消费电力ニューロモルフィックデバイスの开発を推进します。

【概要】

东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター(センター长:远藤 哲郎)(以下、本学)は、罢顿碍株式会社(社长:斋藤 昇、本社:东京)(以下、罢顿碍)が、开発を进めているスピントロニクス技术を用いた础滨消费电力1/100可能なニューロモルフィックデバイスの実用化に向けて、本罢顿碍プロジェクトに参加することを决定しました。

TDKは、フランスの原子力?代替エネルギー庁(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives:CEA)と連携の下で開発したスピンメモリスタがニューロモルフィックデバイスの基本素子として機能することの確認に成功しました。この結果を受けて、TDKプロジェクトが要素開発のステージから実用化に向けた開発ステージに移行するに際し、半導体製造工程とスピントロニクス製造工程の融合技術(集積化技術)が必要となります。スピンメモリスタと類似した製品であるMRAMの製造ではこの融合が実現されており、本学国際集積エレクトロニクス研究開発センターには、多くの実績を有しています。この本学が保有する当該学術的知見と12インチ試作ラインおよび評価設備等によるモノづくり技術等を活用して、本プロジェクトに貢献するものです。

今后、罢顿碍及び颁贰础との产学官の国际连携で、本学も础滨消费电力を100分の1に低减できるニューロモルフィックデバイスの开発を推进していきます。

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问い合わせ先

东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター長?教授 遠藤哲郎
罢贰尝:022-796-3410
贵础齿:022-796-3432
贰尘补颈濒:蝉耻辫辫辞谤迟-辞蹿蹿颈肠别*肠颈别蝉.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫
(*を蔼に置き换えてください)

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