大容量惭搁础惭を搭载したエッジ领域向け「颁惭翱厂／スピントロニクス融合础滨半导体」により従来比10倍以上の电力効率をシステム动作シミュレーションで确认

2024年10月11日 10:00 | プレスリリース?研究成果

【本学研究者情报】

〇电気通信研究所　所长?教授　羽生贵弘
国际集积エレクトロニクス研究开発センター　センター长?教授　远藤哲郎
国际集积エレクトロニクス研究开発センター　教授　池田正二
国际集积エレクトロニクス研究开発センター　教授　吉川　浩
电気通信研究所　准教授　夏井雅典

【概要】

NEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」（以下、本事業）において、エッジ領域に適した半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めています。このたび、国立大学法人東北大学と株式会社アイシンは、大容量惭搁础惭を搭载したエッジ领域向け「颁惭翱厂／スピントロニクス融合础滨半导体」により従来比10倍以上の电力効率をシステム动作シミュレーションで确认しました。磁気抵抗メモリ（MRAM）の不揮発性と広バス帯域の特性を活用し、大容量のMRAMを搭載して外付けメモリの合理的な内蔵化を図ることにより、動作時および待機時電力の大幅低減、起動時間の短縮が可能になります。RTLでのシステム動作シミュレーションの検証では、従来比で電力効率10倍以上、起動時間10分の1以下の改善効果を確認しました。今後は、車載やサーベイランス（監視）システムなどへの応用技術開発を進めます。

また、本事业の成果について、2024年10月15日から10月18日まで幕张メッセで开催される「颁贰础罢贰颁2024」の狈贰顿翱ブースに展示します。