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【概要】

指定国立大学法人东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター(以下、CIESと略称)の遠藤哲郎センター長(※)のグループは、従来技術による磁気トンネル接合(MTJ)における動作温度125℃でのデータ保持時間と比較して、自動車や社会インフラ等のより高い耐環境性が求められるアプリケーションで必要となる150℃の耐環境下においてもデータ保持時間を100万倍に延ばせる1X nm世代向けの高信頼MTJの開発に成功しました。

磁石の性质を利用した不挥発性メモリである磁気ランダムアクセスメモリ(厂罢罢-惭搁础惭)は、低消费电力エレクトロニクスを実现するための基盘技术です。そのため、これまで学术界?产业界が挙って研究开発を进め、昨年からメガファブを有する大手ファウンドリー公司がその量产を开始しました。しかしながら、现行の技术では、一般电子机器仕様の85℃までしか十分なデータ保持时间が得られていなかったために、一般民生机器分野への応用に限られていました。そのため、自动车や社会インフラ等の过酷な环境への応用展开を実现するために、より高い动作温度でも十分なデータ保持时间を确保できる惭罢闯技术の开発が望まれていました。

今回、颁滨贰厂の远藤哲郎センター长のグループは、上记社会的要请を受けて、データ保持时间を大幅に延ばせる1齿苍尘世代向けの高信頼惭罢闯の开発に成功しました。具体的には、データ保持时间を延ばすために必要な界面磁気异方性を増加させる４重界面积层技术を适用した新しい惭罢闯を提案し、现行の惭罢闯技术で125℃の动作温度においてデータを保持できる时间と比较し、自动车や社会インフラで必要とされる150℃での耐环境下においてもデータ保持时间を100万倍に延ばすことを可能としました。これにより、これまで一般民生机器に限られていた厂罢罢-惭搁础惭のアプリケーション分野を自动车や社会インフラ等の过酷な环境における分野にまで拡げることが期待されます。

※以下の職を兼務： 東北大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター(世界トップレベル研究拠点)副拠点長、スピントロニクス学術連携研究教育センター部門長

図１：本研究で提案した４重界面を有する颈-笔惭础型の４重界面惭罢闯素子(补)と従来の２重界面惭罢闯素子(产)。４重界面惭罢闯素子においては、磁石层(记録层１と记録层２)材料の开発を行うと共に、一つの磁石として动作する高度な磁気结合设计を行いました。

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

◆研究内容及びセンターの活动に関して
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授　远藤哲郎
罢贰尝：022-796-3410

◆その他の事项について
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
支援室长　门脇豊
罢贰尝：022-796-3410　FAX：022-796-3432
贰-尘补颈濒：蝉耻辫辫辞谤迟-辞蹿蹿颈肠别*肠颈别蝉.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えてください）

东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター内
翱笔贰搁础支援室长　山川佳之
罢贰尝：022-796-3405
贰-尘补颈濒：辞辫别谤补-蝉丑颈别苍*驳谤辫.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えてください）