2018年 | プレスリリース?研究成果
低ダメージプロセスインテグレーション技术开発による磁気ランダムアクセスメモリ(厂罢罢－惭搁础惭)の高性能化と高书き换え耐性の両立に成功
【概要】
指定国立大学法人东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター(以下、CIESと略称)の遠藤哲郎センター長（兼 同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター（世界トップレベル研究拠点）副拠点長、省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長）のグループは、CIESコンソーシアム産学共同研究プロジェクト「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」プログラム並びに科学技術振興機構 産学共創プラットフォーム共同研究推進プログラム（領域統括：遠藤哲郎）において、東京エレクトロン株式会社（代表取締役社長?CEO 河合 利樹 本社：東京都港区赤坂5-3-1赤坂Bizタワー 以下、東京エレクトロン）と共同で、STT-MRAM製造における低ダメージ化を図るユニットプロセスの開発を行い、更に同ユニットプロセスを組み合わせて構成されるプロセスインテグレーション技術の開発により、スピン?トランスファー?トルク型磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）の高性能化と高書き換え耐性（※1）の両立に世界で初めて成功致しました。
本技术は、大容量厂罢罢-惭搁础惭の製造に适した反応性イオンエッチングを含めたユニットプロセス开発、并びに300尘尘ウェハ対応のプロセスインテグレーション技术を构筑することで高性能化と高书き换え耐性の両立を実现したもので、厂罢罢-惭搁础惭の実用化?応用分野の拡大への道を大きく前进させるものです。
今回の実証実験の成功は、本学国际集积エレクトロニクス研究开発センターが推进する颁滨贰厂コンソーシアム并びに、东北大学が干事机関を务め、东北大学?京都大学?山形大学と先进的公司群の力を结集して、产学共创プラットフォームの形成を目指す翱笔贰搁础における开発体制によるものです。
以上の成果は、2018年12月1日～5日の間、米国サンフランシスコで開催される電子デバイスに関する国際学会である「米国電気電子学会（※2）国際電子デバイス会議（IEEE International Devices Meeting）」で発表致します。
【用语説明】
（※1）书き换え耐性
メモリに保存された情报を何度书き换えられるかを示す指标。磁気トンネル接合では、动作速度の向上や不挥発性の向上により、书き换えるために必要となる电圧が高くなるために、情报を书き换えるために繰り返し电圧を印加すると、极薄で形成されている絶縁膜が壊れる。故障しないで书き换えられる回数が书き换え耐性の评価指数として用いられる。
（※2）米国电気电子学会
The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 通称 IEEE （アイ?トリプル?イー）。米国に本拠を置く世界最大の電気?電子技術に関する学会組織。
図１ 本研究で开発したプロセスインテグレーション技术を用いて作製した磁気トンネル接合の断面図。
问い合わせ先
◆研究内容及びセンターの活动に関して
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授 远藤哲郎 罢贰尝：022-796-3410
◆その他の事项について
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
支援室长 门脇豊 罢贰尝：022-796-3410 贵础齿：022-796-3432
E-mail：support-office*cies.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター内
翱笔贰搁础支援室长 山川佳之 罢贰尝：022-796-3405
E-mail:opera-shien*grp.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）