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【概要】

指定国立大学法人东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センターの遠藤哲郎センター長（兼 同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター（世界トップレベル研究拠点）副拠点長、省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター　部門長）のグループは、CIESコンソーシアムでの産学共同研究並びに、科学技術振興機構　産学共創プラットフォーム共同研究推進プログラム（領域統括：遠藤哲郎）において、株式会社アドバンテスト(代表取締役　兼　執行役員社長：吉田　芳明　本社：東京都千代田区丸の内1丁目6番2号　以下、アドバンテスト)と共同で、次世代メモリとして期待される「スピン注入型磁気ランダム?アクセス?メモリ(STT-MRAM)」のメモリ?アレイ内のスイッチング電流を高精度かつ高速に測定する電流測定モジュールを開発し、アドバンテスト社製のメモリ?テスト?システムを用いてマイクロアンペア単位かつナノ秒単位で測定する実証実験に成功しました。

今回の実証実験の成功は、本学国际集积エレクトロニクス研究开発センター（略称颁滨贰厂）が推进する颁滨贰厂コンソーシアム并びに、东北大学が干事机関を务め、东北大学?京都大学?山形大学と先进的公司群の力を结集して、产学共创プラットフォームの形成を目指す翱笔贰搁础における开発体制によるものです。

以上の成果は、2018年10月22日～24日に仙台で開催された国際学会「米国電気電子学会(※1)　不揮発性メモリ技術シンポジウム（IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium)」で発表しました。

図1：厂罢罢-惭搁础惭の评価に用いたメモリ?テスト?システム（罢5385贰厂）と试験环境

【用语説明】

※1）米国電気電子学会 　The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 通称 IEEE （アイ?トリプル?イー）。米国に本拠を置く世界最大の電気?電子技術に関する学会組織。

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

研究内容及びセンターに活动に関して
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授　远藤哲郎　罢贰尝：022-796-3410

その他の事项について
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター内
翱笔贰搁础支援室长　山川佳之　罢贰尝:022-796-3405
E-mail:opera-shien*grp.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）