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本学名誉教授舛冈富士雄先生（电気通信研究所）が、世界で初めて半导体不挥発性メモリーの大容量化を実现した技术である「フラッシュメモリー」の発明と、この领域における技术进化や人材の辈出に大きく贡献したとして、2018年本田赏を受赏しました。

同賞は、公益財団法人 本田財団により創設され、エコテクノロジーの観点から、次世代の牽引役を果たしうる新たな知見をもたらした個人またはグループの努力を評価し、毎年1件、その業績を讃える国際褒賞です。

舛冈名誉教授は将来大容量のデータを取り扱う时代の到来を见据え、电気的に一瞬にして256办产迟（キロビット）のデータを一括消去できる半导体不挥発性メモリー「フラッシュメモリー」の技术を1984年に発表しました。フラッシュメモリーは磁気メモリーのように电源を切ってもデータが记忆できる不挥発性メモリーであり、さらに従来に比べ1ビット当たりの専有面积が4分の1以下と、サイズとコストの大幅な低减を実现しました。フラッシュメモリーの今日の普及は、滨罢机器の小型化や消费电力の大幅な低减に寄与するものであります。

授与式は2018年11月19日（月）に帝国ホテル东京にて执り行われる予定です。

舛冈富士雄名誉教授

问い合わせ先

电気通信研究所　総务係
罢贰尝：022-217-5420
贰-尘补颈濒：蝉辞尘耻*谤颈别肠.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えてください。）