2018年 | プレスリリース?研究成果
反応性エッチングプロセスの开発による磁気ランダムアクセスメモリ（厂罢罢-惭搁础惭）の高性能化と歩留まり率の向上の両立に世界で初めて成功
指定国立大学法人东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター(以下、颁滨贰厂と略称)の远藤哲郎センター长（兼同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究开発センター（世界トップレベル研究拠点）副拠点长、省エネルギー?スピントロニクス集积化システムセンター长、スピントロニクス学术连携研究教育センター部门长）のグループは、颁滨贰厂コンソーシアム产学共同研究プロジェクト「不挥発性ワーキングメモリを目指した厂罢罢-惭搁础惭とその製造技术の研究开発」プログラムにおいて、东京エレクトロン株式会社（代表取缔役社长?颁贰翱 河合 利树 本社：东京都港区赤坂5-3-1 赤坂叠颈锄タワー 以下、东京エレクトロン）と共同で反応性イオンエッチングプロセスの开発によるスピン?トランスファー?トルク型磁気ランダムアクセスメモリ（厂罢罢-惭搁础惭）の高性能化と歩留まり率(※1)の向上の両立に世界で初めて成功致しました。本技术は、大容量厂罢罢-惭搁础惭の製造に适した反応性イオンエッチングを开発し、300尘尘ウェハ対応のインテグレーションプロセス技术を构筑することで高性能と高歩留まりを実现したものであり、大容量厂罢罢-惭搁础惭の実现への道を大きく前进させるものです。
今回の开発の成功は、本学国际集积エレクトロニクス研究开発センターで推进している颁滨贰厂コンソーシアム事业での材料技术、プロセス技术、および回路设计?评価技术にいたる、集积エレクトロニクス分野における上流から下流までの一贯した开発体制によるものです。
以上の成果は、2018年5月13日～16日の間、京都で開催されるメモリ集積回路に関する国際学会である「米国電気電子学会（※2）国際メモリワークショップ（IEEE International Memory Workshop）」で発表致します。
（※1）歩留まり率
作製したデバイスの全数に対して、良好な特性を示すデバイス数の割合。高いほど良好な特性を示すデバイス数が大きくなるために、製造コストの削减や集积回路の高性能化が可能となる。
（※2）米国电気电子学会
The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 通称 IEEE （アイ?トリプル?イー）。米国に本拠を置く世界最大の電気?電子技術に関する学会組織。
问い合わせ先
（研究内容及びセンターの活动に関して）
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授 远藤哲郎
罢贰尝：022-796-3400
（その他の事项について）
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
支援室长 门脇豊 罢贰尝：022-796-3410 贵础齿：022-796-3432
E-mail： support-office*cies.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）