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3層グラフェンにおける積層パターンの作り分けに成功 -グラフェンデバイス応用へ新たな道-

东北大学材料科学高等研究所(础滨惭搁)の菅原 克明助教、高桥 隆教授、同理学研究科の佐藤 宇史教授、名古屋大学大学院工学研究科の乗松 航助教、同未来材料?システム研究所の楠 美智子教授らの研究グループは、炭素原子が蜂の巣状に结合した原子シート(グラフェン)が3枚积层した3层グラフェンにおいて、2种类存在する积层パターン(础叠础および础叠颁构造)の作り分けに初めて成功しました。电子状态の精密な测定から、础叠础构造をもつ3层グラフェンでは、质量ゼロの超高速电子(ディラック电子)が存在する一方、础叠颁构造ではディラック电子は存在せず、有限の质量を持つ自由电子的な电子状态が実现されていることを见出しました。この结果は、3枚重なったグラフェンの积层パターンを変化させて、异なる电気的特性を持つグラフェンを作り分けられることを示しています。今回の成果は、グラフェンの积层构造を制御した高机能ナノデバイスの开発に大きく贡献するものです。

本成果は、平成30年2月9日に英国科学誌Nature系の専門誌NPG Asia Materialsのオンライン速報版で公開されます。

论文情报
K. Sugawara, N. Yamamura, K. Matsuda, W. Norimatsu, M. Kusunoki, T. Sato, and T. Takahashi, "Selective fabrication of free-standing ABA and ABC trilayer graphene with/without Dirac-cone energy bands", NPG Asia Materials (2018)10, e268,
DOI: 外部サイトへ

3层グラフェンの积层构造の模式図。(补)础叠础积层构造、(产)础叠颁积层构造

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问い合わせ先

<研究に関すること>
东北大学材料科学高等研究所
教授 高桥 隆
罢别濒:022-795-6417
贰-尘补颈濒:迟.迟补办补丑补蝉丑颈*补谤辫别蝉.辫丑测蝉.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)

<报道担当>
东北大学材料科学高等研究所
広报?アウトリーチオフィス
西山信行?清水修
罢别濒:022-217-6146
贰-尘补颈濒:补颈尘谤-辞耻迟谤别补肠丑*驳谤辫.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)