2017年 | イベント
学际研究重点プログラム<原子内包フラーレンナノバイオトロニクスの创成>第9回公开セミナー(4/28开催)
北陆先端科学技术大学院大学の酒井平祐先生にご讲演いただきます。
リチウムイオン内包フラーレンを电荷保持层に応用した有机电界効果トランジスタ型メモリーの开発
我々は有机トランジスタ构造をベースとしたメモリー素子を开発してきた。最近、リチウムイオン内包フラーレンを有机トランジスタの絶縁层へ电荷保持层として导入すると、素子にメモリー特性が発现することを発见した。これは金属を内包していないフラーレンを导入しても発现しない効果であることから、リチウムイオン内包フラーレンが素子のメモリー性の発现に寄与していることを示唆する结果である。本讲演では、有机トランジスタの动作メカニズムについても触れながら、この素子の动作特性について绍介し、今后のリチウムイオン内包フラーレンの有机デバイスへの応用展开について展望したい。
日时:2017年4月28日(金)16:00~17:30
场所:理学研究科合同颁栋2阶、颁201、青叶サイエンスホール(贬-04)
スマホでの閲覧に便利なアクティブマップ
事前申込は不要でどなたでも参加いただけます。
问い合わせ先
理学研究科
准教授 權 垠相
罢贰尝:022-795-6752
贰-尘补颈濒:别办飞辞苍*尘.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)
