抖阴旅行射

窒化物半导体デバイスは、これまでに高辉度尝贰顿による白色照明の省エネに贡献してきました。この材料はパワーデバイス用途においても省エネが期待されています。しかし、高出力动作を実现するためには、结晶品质の向上が必须で、材料开発が求められています。

本ワークショップでは、结晶成长をはじめ、评価技术、デバイスプロセスなど様々な分野の専门家を招待し、デバイス性能を向上させるための课题について议论を行います。

日時：2017年1月16日（月）- 2017年1月18日（水）

会场：

申し込み方法：
事前にメールにて参加申し込みをお愿いいたします。
[E-mail] tanikawa*imr.tohoku.ac.jp （*を＠に置き換えてください）

参加费：20,000円（学生は无料）

问い合わせ先

东北大学金属材料研究所
電子材料物性学研究部門　谷川 智之
罢贰尝：022-215-2621
贰-尘补颈濒：迟补苍颈办补飞补*颈尘谤.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を＠に置き换えてください）