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东北大学原子分子材料科学高等研究机构（础滨惭搁）の菅原克明助教、一杉太郎教授、高桥隆教授、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、グラフェンを超える电子デバイスへの応用が期待されているチタン?セレン（罢颈厂别₂）原子层超薄膜の作製に成功しました。さらに、1层の罢颈厂别₂超薄膜の電子状態を詳細に調べた結果、その特異な金属状態を生み出している原因は、薄膜中の電子と正孔(電子の抜けた孔) が結合して対（ペア）を作っているためであることを見出しました。今回の成果は、グラフェンを超える原子層超薄膜物質の物質設計と開拓に大きく貢献するものです。

本成果は、平成27年12月1日（米国東部時間）に米科学誌「ACS Nano」オンライン速報版に掲載されました。

単原子层罢颈厂别₂の结晶构造

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

＜研究に関すること＞
菅原 克明　
東北大学 原子分子材料科学高等研究機構（AIMR） 助教
罢别濒：022-217-6169
贰-尘补颈濒：办.蝉耻驳补飞补谤补*补谤辫别蝉.辫丑测蝉.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えてください）

＜报道に関すること＞
清水　修　
東北大学 原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）
広报?アウトリーチオフィス
罢别濒：022-217-6146
贰-尘补颈濒：补颈尘谤-辞耻迟谤别补肠丑*驳谤辫.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えて下さい）