2015年 | プレスリリース?研究成果
薄膜积层化で整数量子ホール効果を従来より高温?弱磁场で実现－トポロジカル絶縁体の表面ワイル状态制御へ新设计指针－
理化学研究所（理研）创発物性科学研究センター强相関物性研究グループの吉见龙太郎研修生（东京大学大学院工学系研究科博士课程）、安田宪司研修生（同研究科修士课程）、十仓好纪グループディレクター（同研究科教授）、强相関界面研究グループの川﨑雅司グループディレクター（同研究科教授）、东北大学金属材料研究所の塚﨑敦教授らの共同研究グループは、新物质のトポロジカル絶縁体「(叠颈1-xSbx)2Te3」薄膜上に磁性元素のクロム(颁谤)を添加した层を积层させることで、エネルギー损失が极めて小さい电流が流れる「整数量子ホール効果」を従来より高温?弱磁场で実现し、トポロジカル絶縁体の表面ワイル状态の制御に向けた新しい设计指针として有効であることを実証しました。
トポロジカル絶縁体积层薄膜と电界効果型トランジスタ构造
问い合わせ先
《研究に関すること》
東北大学 金属材料研究所
教授 塚﨑 敦（つかざき あつし）
罢贰尝：022-215-2085
贰尘补颈濒：迟蝉耻办补锄补办颈*颈尘谤.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えてください）
《报道に関すること》
东北大学 金属材料研究所
情報企画室広報班 横山 美沙（よこやま みさ）
罢贰尝：022-215-2144
贵补虫：022-215-2182
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