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反磁性机能酸化物で常磁性ナノピラー(原子の柱)の高密度导入に成功-超小型大容量记忆デバイスへの応用を示唆-

东北大学原子分子材料科学高等研究机构(础滨惭搁)の几原雄一教授(东京大学教授併任)、王中长准教授、陈春林助教らのグループは、滨叠惭チューリッヒ研究所のヨハネス?ベドノルツ博士(1987年ノーベル物理学赏受赏者)らと共同で、最先端の超高分解能走査透过型电子顕微镜による电子プローブを駆使し、机能酸化物バルク中にバルクとは异なる磁気特性をもつナノピラー(ナノサイズの原子柱)を人工的に制御して高密度に导入することにはじめて成功しました。
 本研究グループは、结晶中の格子欠陥である転位や粒界?界面を対象にして、その原子构造の解析や格子欠陥を制御した新机能材料の开発を试みてきました。今回は、超高分解能走査透过型电子顕微镜のナノプローブ电子线によって酸化物の相変态が诱発されることを利用し、反磁性酸化物バルク中に、常磁性ナノピラー相を原子レベルで制御して导入しました。
 今後、本研究を起点にし、特異な構造を有するナノピラー相を原子レベルで制御する技術の開発、超小型大容量記憶デバイスの設計につながることが期待されます。本成果は2015年10月14日(米国時間)発行の米科学誌「Nano Letters(ナノ?レターズ)」に正式掲載されました。

(左) SrNbO3.4の[110]晶帯軸による暗視野(HAADF-STEM)像。赤枠は電子線照射を行う領域 (右) 照射後の暗視野像

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问い合わせ先

<研究に関すること>
王 中长(ワン チョンチャン)
东北大学原子分子材料科学高等研究机构(础滨惭搁) 准教授
TEL: 022-217-5933
贰-尘补颈濒:锄肠飞补苍驳*飞辫颈-补颈尘谤.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)

井上 和俊(イノウエ カズトシ)
东北大学原子分子材料科学高等研究机构(础滨惭搁) 助手
TEL: 022-217-5933
贰-尘补颈濒:办补锄耻迟辞蝉丑颈.颈苍辞耻别.补3*迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)

<报道担当>
清水 修(シミズ オサム)
东北大学原子分子材料科学高等研究机构(础滨惭搁)
広报?アウトリーチオフィス
TEL: 022-217-6146
贰-尘补颈濒:补颈尘谤-辞耻迟谤别补肠丑*驳谤辫.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫(*を蔼に置き换えてください)

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