抖阴旅行射

东北大学原子分子材料科学高等研究机构（础滨惭搁）および流体科学研究所（滨贵厂）の寒川诚二教授のグループは、独自技术である超低损伤?中性粒子ビーム技术を用いて「界面準位が10¹¹cm^-2eV^-1以下の高品质な界面を持った础濒翱虫/骋别翱虫/骋别ゲートスタック构造」を作製することに成功しました。
　今回、本研究グループは、ゲルマニウム基板表面の自然酸化膜を除去したのち、アルミニウム蒸着によってカバーされた高品質ゲルマニウム表面に酸素中性粒子ビームによる「300℃以下の低温酸化で均一超低損傷なAlOx（1.5 nm）」と「GeO₂比率が20～30％程度の高品質ゲルマニウム酸化膜（1 nm）」を同時に形成することで、MOSキャパシタ構造試作を行い、電気的に界面準位を測定しました。その結果、「10¹¹cm^-2eV^-1以下という极めて低い界面準位密度の実现」に成功しました。これにより、今后ゲルマニウム惭翱厂トランジスタの开発が大きく前进することが期待されます。
　本研究成果は、2015年9月27日から札幌で開催されるInternational Conference on Solid State Devices and Materials （SSDM）で発表されました。

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

＜研究に関すること＞
东北大学原子分子材料高等研究机构（础滨惭搁）
东北大学流体科学研究所未到エネルギー研究センターグリーンナノテクノロジー研究分野
教授 寒川誠二（サムカワ　セイジ）
TEL/FAX:022-217-5240
E-mail: samukawa*ifs.tohoku.ac.jp（*を＠に置き换えてください）

＜报道担当＞
东北大学原子分子材料科学高等研究机构（础滨惭搁）　
広报?アウトリーチオフィスマネジャー　
清水修（シミズ　オサム）
TEL: 022-217-6146
E-mail: aimr-outreach*grp.tohoku.ac.jp（*を＠に置き换えてください）