抖阴旅行射

本文へ
ここから本文です

GaN LEDおよびLD用新結晶ScAlMgO4開発 直径2インチ結晶引上げと画期的な劈開加工基板で実証

东北大学金属材料研究所と株式会社福田结晶技术研究所は共同で、骋补狈を主材料とする窒化物半导体からなる青色発光ダイオード(尝贰顿)及びブルーレイ用レーザの高性能化に向けた格子不整の小さい新しい基板厂肠础濒惭驳翱4(厂颁础惭)とその适用性を确认しました。

详细(プレスリリース本文)PDF

厂颁础惭结晶と基板

问い合わせ先

东北大学金属材料研究所
教授 松冈 隆志
TEL: 022-215-3067
E-mail: matsuoka*imr.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

このページの先头へ