2014年 | プレスリリース?研究成果
厂颈基板上への叁次元集积的な成长によるグラフェン物性の作り分けに初めて成功～グラフェンと厂颈が融合した电子?光デバイス混载回路へ道～
东北大学电気通信研究所の吹留博一准教授らのグループは、東大のグループと共同で、有望な次世代デバイス材料であるグラフェンを、Si基板上に三次元集積的に成長させることに初めて成功しました。さらに、この方法により、グラフェン物性の作り分け（金属性 vs. 半導体性）にも成功しました。
今回の成果は、将来的なグラフェンと厂颈が融合した电子?光デバイス混载回路への道を拓くものです。
问い合わせ先
东北大学电気通信研究所
准教授 吹留 博一
电话番号：022-217-5484
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