2014年 | プレスリリース?研究成果
グラフェンデバイスの动作中表面电位をピンポイントで测定することに成功～精密なグラフェンデバイス设计が可能に～
东北大学电気通信研究所の吹留博一准教授は、东京大学のグループと共同で东京大学放射光アウトステーションにある叁次元ナノ贰厂颁础を用いて、动作中のグラフェントランジスタ（骋贵贰罢）の电位のピンポイント测定に成功しました。ポストシリコン材料の一つであるグラフェンはシリコンと异なる物性を持つ為、骋贵贰罢の実用化は困难でした。
今回の结果は骋贵贰罢の精密设计を可能にし、その実用化を大きく前进させるものです。
问い合わせ先
东北大学电気通信研究所
准教授 吹留 博一
电话番号：022-217-5484
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