抖阴旅行射

　东北大学原子分子材料科学高等研究机构の伊藤良一助教、陈明伟教授らのグループは同研究机构の谷垣胜己教授、田邉洋一助教と高桥隆教授、菅原克明助教の协力を得て、新规材料「3次元ナノ多孔质グラフェン」の开発に成功しました。これまで3次元炭素材料は非结晶性不连続体（粉状）のため电気をほとんど通さなかったのに対して、今回结晶性の高い1枚の繋がった3次元グラフェンシートを作成することで高い电気移动度を达成し、シリコンに替わる3次元デバイスの开発が期待されます。
　3次元ナノ多孔質グラフェンは、図1のように立体構造を持つナノ多孔質金属を鋳型として、その上に化学気相蒸着法を用いてグラフェンを成長させることによって、2次元物質であるグラフェンに3次元構造を持たせた厚みのある物質です。この3次元ナノ多孔質グラフェンの電気デバイス特性を調べたところ、電子の移動度が最大で500 cm²/痴蝉を示しトランジスタで必要とされている性能値200肠尘²/痴蝉以上であることがわかりました。今回の研究成果は、今后炭素材料を使って3次元デバイスを作成する上での非常に重要な成果と考えられます。
　本研究は、近日中にドイツ科学誌「Angewandte Chemie International Edition」のオンライン版にHot Paperとして正式掲載されます。

详细（プレスリリース本文）

问い合わせ先

（研究内容について）
东北大学原子分子材料科学高等研究机构
教授　陈明伟
TEL: 022-217-5992
助教　伊藤良一
TEL: 022-217-5959

（报道担当）
东北大学原子分子材料科学高等研究机构
広报?アウトリーチオフィス　中道康文
TEL: 022-217-6146