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　国立大学法人東北大学 省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンターの大野英男センター長（同大学電気通信研究所?教授、原子分子材料科学高等研究機構?主任研究者、国際集積エレクトロニクス研究開発センター?教授兼任）のグループは、株式会社アルバックとの産学連携研究により、直径１１nmまでのサイズの磁気トンネル接合素子を作製することに成功しました。また、同東北大学のグループが開発した材料を用いた磁気トンネル接合で、直径２０nm以下のサイズまで微細化しても不揮発性と低消費電力が両立できることを世界で初めて実証しました。本研究により、既存の半導体メモリ（ＲＡＭ）では微細化が困難であると予測されている２０nm以下の技術世代で、磁気トンネル接合を用いた不揮発性スピントロニクスメモリを実現できることが分かりました。

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问い合わせ先

东北大学　省エネルギー?スピントロニクス集积化システムセンター（颁厂滨厂）支援室长
門脇 豊（カドワキ ユタカ）
Tel: 022-217-6116
E-mail: sien*csis.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）