抖阴旅行射

本文へ
ここから本文です

磁気モーメントの波を利用した低エネルギー磁化スイッチングに成功 ?超高密度磁気記憶デバイスの書き込み技術への展開に期待?

 东北大学金属材料研究所の高梨弘毅教授および関刚斎助教のグループは、庆应义塾大学理工学部の能崎幸雄准教授および产业技术総合研究所ナノスピントロニクス研究センターの今村裕志研究チーム长との共同研究により、2つの异なる性质をもつ磁石をナノメートルの厚さ(ナノは10亿分の1)で积层化することで、磁石の中に磁気モーメントの波を生成し、そのスピン波を利用して従来の10分の1という小さな磁场で磁化をスイッチングさせることに成功しました。

 

详细:プレスリリース本文PDF

 

<报道に関するお问い合わせ先>
东北大学金属材料研究所 総务课庶务係
〒980-8577 宫城県仙台市青叶区片平2-1-1
Tel:022-215-2181, Fax:022-215-2184
E-mail:imr-som*imr.tohoku.ac.jp(* を@に置き換えて下さい)
 

このページの先头へ