抖阴旅行射

　东北大学大学院理学研究科の高山あかり大学院生と东北大学原子分子材料科学高等研究机构の高桥隆教授、大阪大学产业科学研究所の小口多美夫教授らの研究グループは、次世代のスピントロニクスデバイス）の动作メカニズムとして注目されている「ラシュバ効果」）が、半导体と金属の界面（接合面）で起きていることを突き止めました。観测は、世界最高の分解能を持つ超高分解能スピン分解光电子分光装置を用い、ビスマス薄膜の电子スピン注3)状态を详しく调べることで行われました。今回の発见は、半导体电子デバイスと同様に、物质の接合面を利用した次世代のスピントロニクスデバイスの开発に大きく道を开くものです。

　本研究成果は、4月11日付けの米国化学会誌 Nano Lettersに掲載される予定です。

详细（プレスリリース本文）

高山 あかり (博士後期課程3年)

东北大学大学院理学研究科

罢别濒：022-217-6169

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高橋 隆 教授

东北大学原子分子材料科学高等研究机构（大学院理学研究科兼任）

罢别濒：022-795-6417

贰-尘补颈濒：迟.迟补办补丑补蝉丑颈*补谤辫别蝉.辫丑测蝉.迟辞丑辞办耻.补肠.箩辫（*を蔼に置き换えてください）