2011年 | プレスリリース
厂颈基板上へのグラフェン多机能デバイスの开発に道
东北大学电気通信研究所の吹留博一助教らは、シリコン(厂颈)基板の面方位による、厂颈基板上に成长させた次世代电子材料グラフェン(骋翱厂)の多机能化(金属性?半导体性の切り分け)に成功し、骋翱厂を用いたトランジスタの集积化も可能であることを示しました。
現在の半導体集積技術を用いてグラフェンの多機能化?集積可能性を示した ことは、グラフェンの多機能集積回路への道を拓いたという意味で、画期的な成果です。
问い合わせ先：
東北大学電気通信研究所
吹留博一、末光眞希、尾辻泰一
e-mail: fukidome*riec.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えて下さい）
tel: 022-217-5484,5485,6102
東北大学電気通信研究所研究協力係
tel: 022-217-5422